曹文豪，工学博士
前沿交叉科学青岛研究院博士后（重点资助类，合作导师：杨家跃）
邮箱：2188097133@qq.com
教育经历：
2016.09-2020.07：石家庄铁道大学，材料科学与工程，学士
2020.09-2025.07：山东大学，材料科学与工程，博士
主要研究方向：
1) 面向高功率射频器件的氮化铝单晶生长研究
2) 基于PVT单晶生长系统热场仿真
3) 氮化铝单晶光学特性分析
荣誉奖项：
1) 2024年博士研究生国家奖学金
代表论文、著作、专利：
[1].Wenhao Cao, Shouzhi Wang, Guodong Wang, et al. Optical properties of conductive and semiinsulating HVPE-GaN crystals, CrystEngComm, 2024, 26, 1837 - 1842.
[2]Wenhao Cao,Shouzhi Wang, Ruixian Yu, et al. Effect of Air Layer Thickness on AlN Crystal Growth by the PVT Method, Crystal Growth & Design. 2024 24 (11), 4613-4621.
[3]Wenhao Cao,Shouzhi Wang, Ruixian Yu, et al. Suitable AlN Source Shape for Optimizing Gas Mass Transfer During AlN Crystal Growth. Crystal Growth & Design. 2024 24 (11), 9059-9066.
[4]Wenhao Cao,Shouzhi Wang, Ruixian Yu, et al. Optimizing crucible geometry to improve the quality of AlN crystals by the physical vapor transport method. J. Appl. Cryst. 57,1-8.
[5]Wenhao Cao,Shouzhi Wang, Ruixian Yu, et al. Suitable thickness of the adhesive layer facilitates the release of thermal stresses in AlN crystals. CrystEngComm, 2024, 27(2): 247-255.
[6]Wenhao Cao,Shouzhi Wang, Ruixian Yu, et al. The Growth of 90 mm AlN Single Crystals by Expanding the Temperature Field Structure. Crystal Growth & Design.2025, 25(4): 1136-1147.
[7] Yuzhu Wu, Shouzhi Wang*, Ruixian Yu, Guodong Wang*,Wenhao Cao, Qiubo Li, Yajun Zhu, Jingliang Liu, Xiangang Xu, Lei Zhang*.Novel strategy for AlN crystal processing: High - efficiency two step CMP technology. Journal of Manufacturing Processes. 2025, 150, 272-281.
[8] Yuzhu Wu, Guodong Wang*, Shouzhi Wang, Lihuan Wang*,Wenhao Cao,Qiubo Li, Yajun Zhu, Qingjun Xu, Xiangang Xu, Lei Zhang*.Efficient preparation of large-size AlN single crystal substrates: ICP − CMP collaborative process optimization. Applied Surface Science 714 (2025) 164467.
[1].张雷，曹文豪，王守志等。一种降低A1N晶体生长粉料杂质含量的方法，申请号：202211218475.9(已授权)
[2].张雷，曹文豪，王国栋等。一种稳定AlN结晶料化学计量比的方法，申请号：202311342295.6
[3].张雷，曹文豪，王守志等。一种微波辅助加热去除晶体杂质的方法，申请号：202111012786.5
[4].张雷，曹文豪，王守志等。一种定向多线切割机晶体定向夹具，申请号：202220932323.4
[5].张雷，曹文豪，王国栋等。一种降低AlN晶体生长应力的生长方法,申请号：ZL 202210713671.7(已授权)
[6].张雷，曹文豪，王国栋等。一种一步烧结高质量氮化铝原料的方法,专利号: ZL 202211039523.8(已授权)
[7].张雷，曹文豪，王守志等。一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法,专利号:CN202211485428.0(已授权)
[8].张雷，曹文豪，王守志等。一种便于扩径的PVT法生长AIN的方法,申请号:202410332093.1
[9].王守志,曹文豪,谢寿天等。一种PVT法生长AlN过程中实现双位生长的方法，申请号:202311591227.3
[10].张雷，曹文豪，王守志等。一种PVT法生长AlN单晶的籽晶固定装置，专利号：ZL 202323028592.1(已授权)
[11].王国栋,曹文豪,张雷等。一种B掺杂AlN单晶及制备方法，申请号: 202311530332.6
[12].王国栋,曹文豪,张雷等。一种PVT感应炉膛下测温孔防堵塞装置,专利号：ZL 202222858565.6(已授权)
[13].张雷,曹文豪,王国栋等。一种降低AlN籽晶应力的粘接方法，申请号:202310784459.4
[14].张雷,曹文豪,王国栋等。一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法，申请号:202310513438.9
[15].王守志,曹文豪,张雷等。一种切割不规则半导体晶体的预处理方法，申请号:202211497487.X
[16].张雷，曹文豪，王守志等。一种去除AlN单晶生长用钨件上附着多晶的方法,专利号:ZL202211593807.1(已授权)
[17].王守志,曹文豪,张雷等。一种在AlN单晶生长过程中抑制籽晶上生长纳米线的方法，申请号:202310642515.0
[18].张雷,曹文豪,俞瑞仙等。一种PVT生长AlN单晶过程中籽晶表面预处理的方法。申请号：202311761933.8
[19]曹文豪,李秋波,王忠新等。一种基于AIN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法。申请号：202511602302.0
[20]张雷,曹文豪,吕松阳，等。一种提高LED外延质量的衬底处理方法。申请号：202511731987.9
[21]曹文豪,李秋波,王忠新等。一种改善GaN基LED底层出光效率的方法。申请号：202511435313.4
实验条件：
隶属光-热辐射研究中心（青岛），配备高性能服务器、光谱椭圆偏振仪、傅里叶红外光谱仪等设备。
